Схемы блока питания на полевом транзисторе


Простой БП для трансивера

С магнитными компонентами выходной трансформатор, дроссели Магнитные компоненты в БП от ПК не сильно отличаются. Как правило, они работают на частоте Для нового блока питания я предпочел трансформаторы большего размера, поскольку они имеют больше места для увеличения обмоток при необходимости.

Інженерні рішення

Используя в схеме стабилизатора мощный полевой транзистор, можно собрать простой стабилизатор, тем не менее имеющий очень хорошие параметры. Он имеет в открытом состоянии сопротивление канала всего 0,02 Ома, а так-же обеспечивает ток до 30 А. Мощность, рассеиваемая транзистором, может превышать Вт. Принципиальная схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рисунке, клик - для увеличения.

Мощный линейный источник питания на полевых транзисторах (13В, 20А)
Бестрансформаторный блок питания на полевом транзисторе (BUZ47A)
Полезные статьи, радиосхемы, конструкции, разработки, рабочие и готовые к повторению
МОЩНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ
Импульсный блок питания 250 Ватт
Импульсный блок питания 5 В, 2,5 А

О двух вариантах исполнения: на биполярных и полевых транзисторах. К слову сказать, именно тот конструктив был позже переделан на новую элементную базу и об этом будет рассказано в самом конце. Было решено не уходить от наработанного опыта и использовать то, что было недорого и рядом. Главное в источнике питания - это трансформатор и силовые транзисторы.

Содержание статьи / Table Of Contents
Свободный доступ к материалам журнала Датагор
Лабораторный блок питания 1,5 -30В, 0-5А + зарядное устройство на MOSFET транзисторе
Коментарі:
Лабораторный БП на К143ЕНЗ
Стабилизатор напряжения на мощном полевом транзисторе
Детали и монтаж
Импульсный блок питания 5 В, 2,5 А

Все ранее рассмотренные схемы зарядных устройств в качестве силового ключа использовали мощные p-n-p или n-p-n транзисторы, которые позволяли получить достаточно большой ток при небольшом количестве электронных элементов. Однако у используемых биполярных транзисторов имеется существенный недостаток - большое падение напряжения коллектор-эмиттер в режиме насыщения, достигающее Гораздо экономичней вместо биполярных транзисторов устанавливать силовые МОП MOSFET транзисторы, которые при тех же токах имеют гораздо меньшее в 5 раз падение напряжения на открытом переходе сток-исток. Проще всего вместо силового p-n-p транзистора установить мощный p-канальный полевой транзистор, ограничив с помощью дополнительного стабилитрона напряжение между истоком и затвором на уровне 15В. Параллельно стабилитрону подключается резистор сопротивлением около 1 кОм для быстрой разрядки ёмкости затвор-исток. Гораздо более распространены и доступней силовые n- канальные МОП транзисторы, но принципиальная схема устройства с такими транзисторами несколько усложняется, так как для полного открытия канала сток-исток на затвор необходимо подать напряжение на 15 В выше напряжения силовой части.

Похожие статьи