Схема включения igbt транзистора в силовую
Универсальные и недорогие драйверы затвора на классы напряжений до 6500В
Силовой транзистор IGBT управляется с помощью напряжения, подаваемого на управляемый электрод-«затвор», который изолирован от силовой цепи. Полное название прибора: биполярный транзистор с изолированным затвором. Характерная черта для этого транзистора — очень малое значение управляющей мощности, использованной для коммутационных операций существенных токовых значений силовых цепей.
IGBT-транзисторы это сила. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. В настоящее время основными полностью управляемыми приборами силовой электроники в области коммутируемых токов до 50 А и напряжений до В являются биполярные транзисторы BPT и идущие им на смену полевые транзисторы с изолированным затвором MOSFET. Нишу высоковольтных силовых приборов с большими уровнями токов и напряжениями до единиц киловольт заняли биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor [1]. MOSFET-транзисторы, появившиеся в х годах, имели характеристики, близкие к характеристикам идеального ключа и являлись наиболее популярными ключевыми элементами. Однако оказалось, что главным параметром, ограничивающим область их применения, является допустимое напряжение на стоке.
- Параллельное включение IGBT транзисторов
- Insulated-gate bipolar transistor , IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор , сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный образующий силовой канал и полевой образующий канал управления [1]. Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания , инверторах , в системах управления электрическими приводами.
- Понятно, что будут рассматриваться лишь n-канальные MOSFET транзисторы, хотя все процессы одинаково справедливы и для их p-канальных сородичей. Эти емкости совместно с другими паразитными элементами оказывают основное влияние на процессы включения и выключения транзистора.
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором широко используются в силовой электронике. Это надежные и недорогие компоненты, управляющиеся путем подачи напряжения на изолированный от цепи элемент.
Этот вид транзисторов быстро вытесняют силовые биполярные транзисторы в качестве предпочтительного устройства для сильноточных и высоковольтных приложений. Баланс компромиссов между скоростью переключения, потерями проводимости и надежностью в настоящее время точно настраивается, так что IGBT вторгаются в область высоких частот и высокой эффективности мощных MOSFET. Ответы на следующий набор вопросов помогут определить, какой IGBT подходит для конкретного применения. Положительное напряжение, прикладываемое эмиттером к клеммам затвора, заставляет электроны притягиваться к клемме затвора в области тела.
.jpg)
.jpg)
